Cómo leer datos de transistor

May 9

Cómo leer datos de transistor


Los transistores están hechos de semiconductores tales como el silicio o el germanio. Se construyen con tres o más terminales. Ellos pueden ser vistos como válvulas electrónicas porque una pequeña señal que se envía a través de un terminal del medio controla el flujo de corriente a través de los otros. Ellos funcionan principalmente como interruptores y amplificadores.
transistores bipolares son el tipo más popular. Tienen tres capas con una ventaja unido a cada uno. La capa intermedia es la base, y los otros dos se llaman el emisor y el colector.

La información técnica sobre los transistores se pueden encontrar en sus paquetes, en las hojas de datos del fabricante, y en algunos libros de texto electrónicos o manuales. Contienen información sobre las características y el funcionamiento de los transistores. Los que son los más significativos incluyen la ganancia, la disipación y los valores nominales máximos.

instrucciones

1 Encuentra la descripción generalizada del transistor, que contiene información sobre cómo el transistor se puede utilizar en un circuito. Su función se describe como la de amplificación, de conmutación o ambos.

2 Observar la calificación de la disipación del dispositivo. Este parámetro indica la cantidad de energía que el transistor puede manejar de forma segura sin sufrir daños. Los transistores se describen típicamente como la energía o de pequeña señal, depende del valor de esta clasificación. Los transistores de potencia normalmente pueden disipar una vatios o más de potencia, mientras que las de pequeña señal se disipan menos de un vatio. La disipación máxima de un 2N3904 es de 350 mW (milivatios), y por lo que se clasifica como pequeña señal.

3 Estudiar el parámetro de ganancia de corriente HFE. Se define como una ganancia porque una pequeña señal en la base produce una señal mucho más grande en el colector. HFE tiene valores mínimos y máximos, aunque ambos no se pueden enumerar. El 2N3904 tiene un mínimo de HFE 100. Como un ejemplo de su uso, debe tener en cuenta el colector fórmula actual Icollector = HFE

Ibase. Si la corriente de base Ibase es 2 mA, entonces la fórmula indica que hay un mínimo de 100 mA 2 = 200 mA (miliamperios) en el colector. HFE puede ser también conocida como Beta (dc).

4 Examinar los parámetros de las tensiones máximas de degradación. La tensión de ruptura es donde el transistor deja de operar o ser destruido si se da una tensión de entrada de esa cantidad. Se recomienda que los transistores no se les permite operar cerca de estos valores, para que no se acorta su vida útil. Vcb es la tensión entre el colector y la base. VCEO es la tensión entre el colector y el emisor con la base abierta, y Veb es el voltaje desde el emisor a la base. La tensión de ruptura del VCB para el 2N3904 aparece como 60 V. Los valores restantes son 40 V para VCEO y 6 V para Veb. Estas son las cantidades que se deben evitar en la operación real.

5 Revisar las capacidades máximas de corriente. Ic es la corriente máxima del colector puede manejar, y para el 2N3904 este aparece como 200 mA. Observe que estas calificaciones asumen una temperatura ideal que se especifica o se supone que la temperatura ambiente. Esto es por lo general no exceda los 25 grados centígrados.

6 Resumir los datos. Para algunos transistores 2N3904 a temperatura ambiente con una corriente de colector de menos de 200 mA, y si no se supera la potencia nominal, su ganancia será tan bajo como 100 o tan alto como 300. transistores 2N3904 La mayoría, sin embargo, tendrá una ganancia de 200.

Consejos y advertencias

  • La hoja de datos de transistores PNP tendrá características similares a la de los NPN.

Artículos relacionados